新潔能第二代SiC MOS系列產(chǎn)品(650V~1700V)，基于第三代半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)深度研發(fā)，以卓越性能賦能高可靠性電力電子系統(tǒng)。本系列產(chǎn)品通過創(chuàng)新性的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與先進(jìn)的碳化硅材料工藝，實(shí)現(xiàn)高溫工況下導(dǎo)通電阻特性的大幅優(yōu)化，顯著提升系統(tǒng)效率與可靠性；其雪崩耐量參數(shù)達(dá)到業(yè)界頂尖水平，在電壓瞬態(tài)沖擊等嚴(yán)苛環(huán)境中展現(xiàn)超強(qiáng)魯棒性，為設(shè)備安全運(yùn)行構(gòu)筑堅(jiān)實(shí)屏障。

產(chǎn)品設(shè)計(jì)充分考量工程應(yīng)用需求，憑借優(yōu)異的均流特性支持多器件高效并聯(lián)，結(jié)合極低電磁噪聲輸出特性，可完美適配新能源汽車電驅(qū)、大功率充電模塊、工業(yè)變頻器等高頻、高精度場(chǎng)景。新潔能貫徹全生命周期質(zhì)量管理理念，采用超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量管控體系，并通過超越AEC-Q101等車規(guī)級(jí)認(rèn)證的嚴(yán)苛可靠性驗(yàn)證，確保產(chǎn)品在極端溫度、機(jī)械應(yīng)力及長(zhǎng)期負(fù)載下的穩(wěn)定表現(xiàn)。

我們以技術(shù)創(chuàng)新為基石，踐行嚴(yán)苛的質(zhì)量承諾，致力于為全球客戶提供兼具高性能與高耐久性的半導(dǎo)體解決方案，持續(xù)推動(dòng)功率半導(dǎo)體技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

       Super Trench技術(shù)致力于提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時(shí)在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊耐量，實(shí)現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理。

       目前，新潔能已推出第二代Super Trench MOSFET，相比于第一代產(chǎn)品，第二代產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻降低20%以上，ESD能力、大電流關(guān)斷能力、短路能力提升20%以上，具有更低的柵極電阻，可以滿足客戶更高能效、更高可靠性的需求，產(chǎn)品的性價(jià)比也進(jìn)一步提升。

       BMS短路試驗(yàn)中，二代Super Trench產(chǎn)品短路性能較一代提升。                    

 單管EAS測(cè)試中，二代Super Trench產(chǎn)品普遍在雪崩耐量方面，比一代產(chǎn)品高出20%。

新潔能新一代Super Trench MOSFET具有優(yōu)異的短路能力和極高的雪崩耐量可靠性，幫助您提高系統(tǒng)可靠性。